[发明专利]VDMOS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201310306053.1 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299907A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100000 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种VDMOS器件的制作方法，该方法包括：依次制作分压环、栅氧化层和多晶栅极；对第一P-体区进行注入以及驱入，再对第二P-体区进行注入以及驱入；其中，对第二P-体区进行驱入的结深小于对第一P-体区进行驱入的结深；依次制作N+源区、氮化硅层、P+深体区、介质层、接触孔和源极金属，以形成VDMOS器件。本发明的VDMOS器件的制作方法解决了现有技术中在调整VDMOS器件阈值电压的同时造成的栅源漏电或者影响源漏击穿电压以及导通电阻的问题。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：依次制作分压环、栅氧化层和多晶栅极；对第一P‑体区进行注入以及驱入，再对第二P‑体区进行注入以及驱入；其中，对所述第二P‑体区进行驱入的结深小于对所述第一P‑体区进行驱入的结深；依次制作N+源区、氮化硅层、P+深体区、介质层、接触孔和源极金属，以形成所述VDMOS器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
