[发明专利]VDMOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

依次制作分压环、栅氧化层和多晶栅极；

对第一P-体区进行注入以及驱入，再对第二P-体区进行注入以及驱入；其中，对所述第二P-体区进行驱入的结深小于对所述第一P-体区进行驱入的结深；

依次制作N+源区、氮化硅层、P+深体区、介质层、接触孔和源极金属，以形成所述VDMOS器件。

2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述对第一P-体区进行注入以及驱入，包括：

向所述第一P-体区注入硼离子，并按照第一预设时间和第一预设温度，对所述第一P-体区进行驱入；

其中，向所述第一P-体区注入的所述硼离子的剂量大于或等于1E13个/cm²，且小于或等于1E14个/cm²；所述第一预设时间大于或等于100分钟，且小于或等于200分钟；所述第一预设温度大于或等于1100摄氏度，且小于或等于1200摄氏度。

3.根据权利要求2所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述对第二P-体区进行注入以及驱入，包括：

向所述第二P-体区注入硼离子，并按照第二预设时间和第二预设温度，对所述第二P-体区进行驱入；所述第二预设时间小于所述第一预设时间；

其中，向所述第二P-体区注入的所述硼离子的剂量大于或等于1E13个/cm²，且小于或等于1E14个/cm²；所述第二预设时间大于0分钟，且小于或等于100分钟；所述第二预设温度大于或等于1100摄氏度，且小于或等于1200摄氏度。

4.根据权利要求2所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述向所述第一P-体区注入的所述硼离子的剂量为1E13个/cm²，所述第一预设温度为1150摄氏度，所述第一预设时间为100分钟。

5.根据权利要求3所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述向所述第二P-体区注入的所述硼离子的剂量为1E13个/cm²，所述第二预设温度为1150摄氏度，所述第二预设时间为60分钟。