[发明专利]一种RF射频器件的封装工艺有效
| 申请号： | 201310291008.3 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103346096A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马强;黄翔 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种RF射频器件的封装工艺，采用烧结型导电银胶作为连接材料，借助烧结型导电银胶良好的导电性能和导热性能，满足了RF射频器件的封装要求，同时降低了整个封装工艺的成本，减少了封装材料对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rf 射频 器件 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种RF射频器件封装工艺，其特征在于，包括步骤：提供一待封装芯片和该芯片需要封装的目标基板，该芯片上设有若干RF射频器件；对上述芯片进行芯片背金工艺，在该芯片的背面制作多层金属层；在上述目标基板上制作金属镀层；在目标基板上进行点胶工艺，点胶采用烧结型导电银胶；将芯片放置于目标基板上的导电银胶，放入烧结设备中，加热至导电银胶的烧结温度进行烧结，直至导电银胶烧结成固状银层；进行封装后续工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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