[发明专利]用于等离子体处理的RF馈电结构有效
| 申请号： | 201010240683.X | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102056391A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈志刚;沙希·拉夫;肯尼思·S·柯林斯;马丁·杰夫·萨利纳斯;萨姆尔·班纳;瓦伦丁·N·托多罗夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于等离子体处理的设备。在一些实施方式中，RF馈电结构包括将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第一RF线圈元件的第一RF馈电器；围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第二RF线圈元件，其中所述第二RF线圈元件与所述第一RF线圈元件同轴设置。在一些实施方式中，等离子体处理设备包括第一RF线圈；围绕所述第一RF线圈同轴设置的第二RF线圈；耦接到所述第一RF线圈以将RF功率提供到其上的第一RF馈电器；以及围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器耦接到所述第二RF线圈以将RF功率提供到其上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 rf 馈电 结构 | ||
【主权项】：
一种RF馈电结构，包括：第一RF馈电器，所述第一RF馈电器具有配置成接收RF功率的第一端和配置成将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第一RF线圈元件并与该第一端相对的第二端；第二RF馈电器，所述第二RF馈电器围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘，所述第二RF馈电器具有配置成接收RF功率的第一端和配置成将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第二RF线圈元件并与该第一端相对的第二端，其中所述第二RF线圈元件与所述第一RF线圈元件同轴设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010240683.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
