[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310286524.7 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103715274A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 伊仓巧裕 | 申请（专利权）人： | 先进动力设备技术研究协会 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供抑制耐压性的降低的同时有效地抑制了漏电流的半导体装置。其具备：在基板上形成的，由III族氮化物系化合物半导体构成的电子传输层；在所述电子传输层上形成的，由带隙能量比所述电子传输层高的III族氮化物系化合物半导体构成的电子供给层；在所述电子供给层上形成的，由带隙能量比所述电子供给层低的非p型的III族氮化物系化合物半导体构成的场板层；以与在所述电子传输层的与所述电子供给层的界面产生的二维电子气层欧姆接触的方式形成的第1电极；以与所述二维电子气层以肖特基接触的方式形成的第2电极，在所述场板层的侧壁，所述第2电极与在所述场板层的与所述电子供给层的界面产生的二维空穴气欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：在基板上形成的，由III族氮化物系化合物半导体构成的电子传输层；在所述电子传输层上形成的，由带隙能量比所述电子传输层高的III族氮化物系化合物半导体构成的电子供给层；在所述电子供给层上形成的，由带隙能量比所述电子供给层低的非p型的III族氮化物系化合物半导体构成的场板层；以与二维电子气层欧姆接触的方式形成的第1电极，所述二维电子气层在所述电子传输层的与所述电子供给层的界面产生；以及以与所述二维电子气层肖特基接触的方式形成的第2电极，在所述场板层的侧壁，所述第2电极与在所述场板层的与所述电子供给层的界面产生的二维空穴气欧姆接触。
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