[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310220515.8 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104217952B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底；在所述侧壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中依次形成嵌入式锗硅层和硅帽层，其中，形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的∑状凹槽中的硅帽层的顶部的最低处高于所述半导体衬底的表面；回蚀刻所述硅帽层。根据本发明，在栅极结构和隔离结构之间的半导体衬底中形成自下而上层叠的嵌入式锗硅层和硅帽层时，可以获得顶部平整的硅帽层，有效避免导致PMOS性能下降的负载效应的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有隔离结构、栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构的半导体衬底；在所述侧壁结构之间以及所述侧壁结构与所述隔离结构之间的半导体衬底中形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中依次形成嵌入式锗硅层和硅帽层，其中，形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的∑状凹槽中的硅帽层的顶部的最低处高于所述半导体衬底的表面，以确保所述硅帽层完全填充形成于所述侧壁结构与所述隔离结构之间的∑状凹槽中的嵌入式锗硅层的顶部朝向所述隔离结构逐步倾斜而成的凹陷部；回蚀刻所述硅帽层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
