[发明专利]基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201310218714.5 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103280454A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 童艳红;汤庆鑫;蔡彬;裴腾飞;程娇 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/43;H01L21/34;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 王薇 |
| 地址： | 130024 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶的长度为3~30μm。其采用导电纳米带作为微纳器件的电极，一方面克服了微纳单晶场效应晶体管在电极制备过程中所产生的污染、辐射损伤等缺点，减小了器件的漏电流，增加了器件工作的可靠性和稳定性，另一方面也有利于微纳器件在未来向小型化和集成化的方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 导电 纳米 电极 微纳单晶 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由外接电极，栅极衬底，半导体纳米带（片）和与其形成良好接触的导电纳米带即源电板和漏电极组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶材料的长度为3~30μm。
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