[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310211950.4 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104218080A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，包括栅极和栅掩蔽层；所述栅极和栅掩蔽层是由同一层多晶硅材料经刻蚀后分别形成的；当所述射频LDMOS器件为p型，则所述多晶硅材料为n型重掺杂；当所述射频LDMOS器件为n型，则所述多晶硅材料为p型重掺杂。本发明还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本发明采用多晶硅材料制造出栅掩蔽层，与现有的金属材料的栅掩蔽层具有同样的功能。本发明的制造方法直接淀积多晶硅材料、并刻蚀该层多晶硅材料以分别形成各自独立的栅极和栅掩蔽层，这样便避免了现有制造方法中对金属进行干法刻蚀的同时对硅片表面的硅材料、氧化硅材料的损伤，有利于提升器件的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，包括栅极和栅掩蔽层，其特征是，所述栅极和栅掩蔽层是由同一层多晶硅材料经刻蚀后分别形成的；当所述射频LDMOS器件为p型，则所述多晶硅材料为n型重掺杂；当所述射频LDMOS器件为n型，则所述多晶硅材料为p型重掺杂。
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