[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310205688.2 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456690B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 铃木和贵;是成贵弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本发明的半导体器件包括芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：芯片，所述芯片被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及公共漏极电极，所述公共漏极电极被设置在所述芯片的背表面上，其中，所述第二区域形成在所述第一区域和所述第三区域之间，第一MOSFET形成在所述第一区域和所述第三区域中，并且第二MOSFET形成在所述第二区域中，其中，所述第一、第二和第三区域中的每一个包括两个源极焊盘，并且所述半导体器件进一步包括：分别被设置在所述第一区域和所述第三区域中的栅极焊盘，该栅极焊盘中的每一个被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且被电连接到所述第一MOSFET；以及被设置在所述第二区域中的栅极焊盘，该栅极焊盘被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且被电连接到所述第二MOSFET。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
