[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板有效
| 申请号： | 201310146651.7 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124277B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;龙君;朱孝会;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 王黎延,张振伟 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括形成于基板上的栅极，形成于栅极上覆盖整个基板的栅绝缘层，形成于栅绝缘层上的半导体层，形成于半导体层上的阻挡层，形成于栅绝缘层上的位于阻挡层两侧的源极和漏极，以及形成于漏极上的信号端子；所述半导体层为氧化物半导体薄膜层，且所述源极、漏极与所述半导体层同层设置。本发明还同时公开了薄膜晶体管的制作方法和一种阵列基板，本发明可有效解决源漏极与氧化物半导体层电学接触不良的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：形成于基板上的栅极，形成于栅极上覆盖整个基板的栅绝缘层，形成于栅绝缘层上的半导体层，形成于半导体层上的阻挡层，形成于栅绝缘层上的源极和漏极，以及形成于漏极上的信号端子；其特征在于，所述半导体层为氧化物半导体薄膜层，且所述源极、漏极与所述半导体层同层设置，并且通过直接将高掺杂的非晶硅薄膜沉积在所述阻挡层两侧的所述半导体层上形成。
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