[发明专利]顶部漏极横向扩散金属氧化物半导体无效
| 申请号： | 201310086902.7 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103367444A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;陈军;胡永中 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;张妍 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成在半导体衬底上的顶部漏极横向扩散金属氧化物场效应半导体（TD-LDMOS）器件。该顶部漏极LDMOS包括一个设置在半导体衬底底面上的源极电极。该顶部漏极LDMOS还包括一个源极区和一个漏极区，设置在平面栅极的两个对边上，平面栅极设置在半导体衬底的顶面上，其中源极区包围在本体区中，构成一个漂流区，作为平面栅极下方的源极区和漏极区之间的横向电流通道。该顶部漏极LDMOS还包括至少一个用导电材料填充的沟槽，从顶面附近的本体区开始，垂直向下延伸，以电接触设置在半导体衬底底面上的源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种形成在半导体衬底上的顶部漏极横向扩散金属氧化物场效应半导体TD‑LDMOS器件，包括： 一个源极电极，设置在半导体衬底的底面上；一个源极区和一个漏极区，设置在半导体衬底的顶面上的平面栅极的两个对边上，其中源极区包围在本体区中，本体区在平面栅极下方的源极区和漏极区之间，作为横向电流通道；以及至少一个沟槽用导电材料填充，并且从半导体衬底的顶面附近的本体区开始垂直向下延伸，与设置在半导体衬底底面上的源极电极电接触。
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