[发明专利]一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310086221.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839992A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朱阳军;田晓丽;张文亮;卢烁今;张杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件—TI-IGBT，此器件是将传统的VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构及功能集成为一体，器件的正面结构与传统的VDMOS、IGBT的正面结构相似，背面结构为集电区和短路区相间分布。本发明提供的一种功率器件—TI-IGBT综合了VDMOS和IGBT各自的优点，既有较快的关断速度，又有较低的导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 ti igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件—TI‑IGBT，其特征在于：是将VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构集成为一体，正面结构包括漂移区、栅氧、发射区、将发射区和漂移区隔开的基区、重掺杂区、微穿通区、及三个引出端；所述三个引出端为集电极、发射极和栅极；所述栅极连接发射区和漂移区，栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；所述发射区的下面被基区包围，所述重掺杂区设置在发射区的中央区域，所述发射极连接发射区和重掺杂区；背面结构包括集电区和短路区，所述集电区和短路区之间引出集电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司，未经中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310086221.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种混凝土砌块增强液及其制备方法和应用
- 下一篇：薄带连铸生产用废料导向装置
- 同类专利
- 专利分类
