[发明专利]具有嵌入式MOS变容二极管的FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201310083982.0 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103872102A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈万得;陈重辉;洪照俊;康伯坚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了半导体器件、FinFET器件以及形成FinFET器件的方法。一种实施例为包括位于衬底上方的第一FinFET的半导体器件，其中所述第一FinFET包括第一组半导体鳍。所述半导体器件还包括位于衬底上方的用于第一FinFET的第一体接触部，其中第一体接触部包括第二组半导体鳍，并且所述第一体接触部横向地与所述第一FinFET相邻。本发明还公开了具有嵌入式MOS变容二极管的鳍式场效应晶体管FinFET及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 mos 变容二极管 finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于衬底上方的第一FinFET，所述第一FinFET包括第一组半导体鳍；以及位于所述衬底上方的用于所述第一FinFET的第一体接触部，所述第一体接触部包括第二组半导体鳍，并且所述第一体接触部横向地与所述第一FinFET相邻。
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