[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310077551.3 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051241A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：步骤S101.在待刻蚀膜层上形成包括第一部分掩膜图案的图形化的第一硬掩膜层；步骤S102.在所述第一部分掩膜图案之间形成包括第二部分掩膜图案的图形化的第二硬掩膜层。该方法通过先形成包括第一部分掩膜图案的图形化的第一硬掩膜层，再在第一掩膜图案之间形成包括第二部分掩膜的图形化的第二硬掩膜层的方式，形成了包括图形化的第一硬掩膜层和图形化的第二硬掩膜层的用于刻蚀待刻蚀膜层的掩膜；相对于现有技术中的其他双重图形技术，可以形成更好的掩膜图案形貌，提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在待刻蚀膜层上形成包括第一部分掩膜图案的图形化的第一硬掩膜层；步骤S102：在所述第一部分掩膜图案之间形成包括第二部分掩膜图案的图形化的第二硬掩膜层；其中，所述图形化的第一硬掩膜层和所述图形化的第二硬掩膜层共同构成用于刻蚀待刻蚀膜层的掩膜，所述第一部分掩膜图案和所述第二部分掩膜图案共同构成所述用于刻蚀待刻蚀膜层的掩膜的掩膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
