[发明专利]半导体存储器器件有效
| 申请号： | 201310039084.5 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103544989B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 金光淳;金根国 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器器件，包括第一核心区域和第二核心区域，沿着与主轴平行的第一参考线而布置，第一参考线连接输入焊盘和输出焊盘；第一单元块和第二单元块，沿着第一参考线设置在第一核心区域中；第三单元块和第四单元块，沿着第一参考线设置在第二核心区域中；以及重复器，位于第三单元块和第四单元块之间，被配置成接收从第一单元块或第二单元块输出的数据，放大接收的数据和将放大的数据传送到第二全局输入/输出线。所需全局输入/输出线的数目的减少带来了布局面积的减少。而且，由于针对有限数目的单元块在读取操作驱动重复器，可以减少信号增益，由此减少整体功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器器件，包括：第一核心区域和第二核心区域，所述第一核心区域和第二核心区域沿着基本与主轴平行的第一参考线而布置，所述第一参考线连接输入焊盘和输出焊盘；第一单元块和第二单元块，所述第一单元块和第二单元块沿着所述第一参考线设置在所述第一核心区域中；第三单元块和第四单元块，所述第三单元块和第四单元块沿着所述第一参考线设置在所述第二核心区域中；以及重复器，所述重复器位于所述第三单元块和所述第四单元块之间，被配置成：在用于所述第一单元块或所述第二单元块的读取操作中通过第一全局输入/输出线，接收从所述第一单元块或所述第二单元块输出的数据，放大接收的数据和将放大的数据传送到第二全局输入/输出线。
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