[发明专利]将半导体装置结合到支持衬底的方法有效
| 申请号： | 201280035139.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103650171B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | Q.邹;S.阿克拉姆;J.C.布哈特 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;汪扬 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 根据本发明各实施例的方法包括提供生长在生长衬底上的半导体装置的晶片。该半导体装置的晶片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第二表面为生长衬底的表面。该方法还包括将第一表面结合到第一晶片以及将第二表面结合到第二晶片。在一些实施例中，第一晶片和第二晶片分别具有与生长衬底不同的热膨胀系数。在一些实施例中，第二晶片可以补偿由第一晶片引入到半导体装置的晶片的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体装置 衬底 第二表面 第一表面 生长 热膨胀系数 引入 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供生长在生长衬底上的半导体装置的晶片，每一个半导体装置包括n型区域和p型区域，其中该半导体装置的晶片具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，其中该第二表面为该生长衬底的表面；将该第一表面结合到第一晶片，第一晶片包括本体区域；将该第二表面结合到第二晶片，其中该第一晶片和该第二晶片分别具有与该生长衬底不同的热膨胀系数，并且第二晶片与第一晶片材料相同且厚度相同，或者第二晶片厚于第一晶片并且具有比第一晶片更低的热膨胀系数，或者第二晶片薄于第一晶片并且具有比第一晶片更高的热膨胀系数；以及在将该第一表面结合到该第一晶片之后，针对每一个半导体装置，蚀刻形成穿过本体区域的整个厚度从而露出电连接到该n型区域的金属的第一通路，以及蚀刻形成穿过本体区域的整个厚度从而露出电连接到该p型区域的金属的第二通路。
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