[发明专利]等离子体增强式化学气相沉积设备及其控制方法有效
申请号: | 201280015195.6 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103443327A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 吴定根;李光浩;李长祐;金廷奎;辛镇赫 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/513;C23C16/44 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 付永莉;郑特强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开一种等离子体增强式化学气相沉积设备,包括在其上装载并运送物体以通过等离子体反应将功能膜设置到物体的托台,其中托台包括基座、固定物体的夹具以及固定件,固定件的上侧布置在基座上以将物体固定到托台。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种在换热器上形成功能膜的等离子体增强式化学气相沉积设备的托台,所述托台包括:基座;和至少一个固定件,布置在所述基座上,并在所述至少一个固定件的上侧选择性地接纳夹具,以将所述换热器固定到所述托台,从而通过利用等离子体反应在所述换热器上形成功能膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的