[实用新型]一种高耐压肖特基芯片有效
申请号: | 201220732304.3 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN203165900U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 关仕汉;吕新立 | 申请(专利权)人: | 淄博美林电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
代理公司: | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人: | 孙爱华 |
地址: | 255000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种高耐压肖特基芯片,属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层(1)、顶部金属层(1)下方的肖特基界面(4)、紧靠肖特基界面(4)下方的多晶硅(2)、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N-EPI(5)和N型基片(6),其特征在于:多晶硅(2)外的氧化硅层的底部氧化硅层(7)厚度大于边部氧化硅层(3)厚度。由于氧化硅底部厚度较现有技术氧化硅底部厚度厚,因而在沟槽底部弯角地方电场的反向电压得到疏解所以产品反向耐压可以提高15—30%。 | ||
搜索关键词: | 一种 耐压 肖特基 芯片 | ||
【主权项】:
一种高耐压肖特基芯片,包括顶部金属层(1)、顶部金属层(1)下方的肖特基界面(4)、紧靠肖特基界面(4)下方的多晶硅(2)、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N‑EPI(5)和N型基片(6),其特征在于:多晶硅(2)外的氧化硅层的底部氧化硅层(7)厚度大于边部氧化硅层(3)厚度。
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