[实用新型]一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片有效
| 申请号： | 201220624916.0 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN202905717U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 冯亚宁;袁德成;张意远;俞栋梁;周宾 | 申请（专利权）人： | 上海美高森美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括：单晶硅片，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。所述单晶硅片为N型材料层、或为P型材料层，所述氧化层的厚度为1500～4500埃。本实用新型具有如下优点：本产品在单晶硅片扩散形成P+层或N+层的基础上通过氧化退火工艺形成结构致密的二氧化硅层氧化层的过程中，有效地减少硅片内部应力、减少碎片，为提高芯片的导电性能、降低碎片率、打下了坚实的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 芯片 氧化 单晶硅 | ||
【主权项】：
一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片，其特征在于，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。
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