[实用新型]一种分裂栅型沟槽功率MOS器件有效
| 申请号： | 201220467212.7 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202816955U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;焦文利 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本实用新型中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 沟槽 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件，其特征在于：有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。
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