[实用新型]一种超结器件的非平衡结终端结构有效
| 申请号： | 201220013362.0 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN202534650U | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 姜贯军 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种超结器件的非平衡结终端结构。在超结器件的元胞区耐压层，通过P柱和N柱区的离子数目基本相等来保持电荷平衡，但是在结终端区，电场强度比元胞区小，使得P柱的受主离子无法完全电离，即P柱无法完全耗尽，并且由内到外这种情况越来越严重，而传统的超结器件结终端结构不能很好地承受较高的击穿电压。本实用新型的结终端区设置若干个掺杂浓度不同的均匀P柱，在P柱的掩膜板上设置有不连续的阻挡图形。本实用新型可以有效地改善结终端器件的击穿电压特性，并且具有较短的结终端长度，使得器件的总体器件面积得到缩小，在相同的芯片面积上进一步减小了器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 平衡 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种超结器件的非平衡结终端结构，其特征在于：所述的结终端结构的结终端区设置若干个掺杂浓度不同的均匀P柱，在P柱的掩膜板上设置有不连续的阻挡图形。
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