[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210568167.9 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103903984B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧形成第一侧壁体；执行一热氧化过程，以在所述半导体衬底的表面形成氧化层；在所述栅极结构两侧形成覆盖所述第一侧壁体的第二侧壁体；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；执行一湿法清洗过程，以去除所述氧化层；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以有效地控制所述∑状凹槽的沿衬底水平方向的最大宽度，在不影响LDD注入对于半导体器件的电学性能的改善的同时，增大形成所述∑状凹槽时实施的干法及湿法蚀刻的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧形成第一侧壁体；执行一热氧化过程，以在所述半导体衬底的表面形成氧化层；在所述栅极结构两侧形成覆盖所述第一侧壁体的第二侧壁体；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；执行一湿法清洗过程，去除所述氧化层的同时在所述第二侧壁体的下方形成缺口；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽，所述缺口控制所述蚀刻的蚀刻起始位置和方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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