[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201210553295.6 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871857B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底，沿栅线方向，在所述半导体衬底上形成有相互隔开的第一伪栅极和第二伪栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层；形成所述层间介质层后，去除所述第一伪栅极，形成第一伪栅沟槽，在第一伪栅沟槽中形成第一栅极；形成所述第一栅极后，去除所述第二伪栅极，形成第二伪栅沟槽，在第二伪栅沟槽中形成第二栅极；去除所述第一栅极和第二栅极之间的部分或全部层间介质层，形成连接第一栅极和第二栅极的凹槽；在所述凹槽中填充导电物质，将第一栅极和第二栅极电连接。使用本发明的技术方案，具有第一栅极的晶体管与具有第二栅极的晶体管可以实现更稳定、更敏感地协同工作，提升了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，沿栅线方向，在所述半导体衬底上形成有相互隔开的第一伪栅极和第二伪栅极；在所述半导体衬底上形成层间介质层；形成所述层间介质层后，去除所述第一伪栅极，形成第一伪栅沟槽，在第一伪栅沟槽中形成第一栅极，其中，去除第一伪栅极的方法，包括：形成图形化的掩膜层，定义第一伪栅极的位置；以所述图形化的掩膜层为掩模，使用干法刻蚀去除第一伪栅极；使用湿法腐蚀去除所述干法刻蚀中形成的聚合物；去除图形化的掩膜层；形成所述第一栅极后，去除所述第二伪栅极，形成第二伪栅沟槽，在第二伪栅沟槽中形成第二栅极；去除所述第一栅极和第二栅极之间的部分或全部层间介质层，形成连接第一栅极和第二栅极的凹槽；在所述凹槽中填充导电物质，所述导电物质与第一栅极和第二栅极直接接触电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210553295.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种FINFET结构的制备方法
- 下一篇：餐厨垃圾粗分拣物油脂回收装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
