[发明专利]GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210546329.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102983172A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;常虎东;刘桂明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法，该GaAs基垂直结构MOS器件包括：一N型GaAs衬底层；在该N型GaAs衬底层上形成的N型低掺杂GaAs层；在该N型低掺杂GaAs层上形成的N型低掺杂InGaP层；在该N型掺杂InGaP层上形成的N型掺杂GaAs层；在该N型掺杂GaAs层上形成的P型III-V族半导体沟道层；在该P型III-V族半导体沟道层上形成的高掺杂III-V族半导体欧姆接触层；在该P型III-V族半导体沟道层和欧姆接触层中形成的P型区域；在该N型掺杂InGaP层以上，N型低掺杂GaAs层P型III-V族半导体沟道层和欧姆接触层中形成的栅槽结构，在该栅槽结构中形成的栅介质层；在该栅介质层上形成的栅金属电极；在该欧姆接触层和P型区域上形成的源金属电极；在该N型GaAs衬底背面形成的漏金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 垂直 结构 mos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基垂直结构MOS器件，其特征在于，包括：一N型GaAs衬底层(101)；在该N型GaAs衬底层(101)上形成的N型低掺杂GaAs层(102)；在该N型低掺杂GaAs层(102)上形成的N型低掺杂InGaP层(103)；在该N型掺杂InGaP层(103)上形成的N型掺杂GaAs层(104)；在该N型掺杂GaAs层(104)上形成的P型III‑V族半导体沟道层(105)；在该P型III‑V族半导体沟道层(105)上形成的高掺杂III‑V族半导体欧姆接触层(106)；在该P型III‑V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中形成的P型区域(107)；在该N型掺杂InGaP层(103)以上，N型低掺杂GaAs层(104)P型III‑V族半导体沟道层(105)和欧姆接触层(106)中形成的栅槽结构，在该栅槽结构中形成的栅介质层(108)；在该栅介质层(108)上形成的栅金属电极(109)；在该欧姆接触层(106)和P型区域(107)上形成的源金属电极(110)；在该N型GaAs衬底(101)背面形成的漏金属电极(111)。
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