[发明专利]制备氮化物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210520669.4 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035793A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01S5/02;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体器件的制造方法，该方法包括步骤：通过金属有机化学气相沉积形成具有倾斜面的第二氮化物半导体层，其中提供到金属有机化学气相沉积生长设备的生长腔中的V族元素气体对III族元素气体的摩尔流量比率设置为240或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件的制造方法，包括步骤：通过金属有机化学气相沉积形成第一氮化物半导体层；在所述第一半导体层上形成氮化硅层；通过金属有机化学气相沉积形成具有倾斜面的第二氮化物半导体层以覆盖所述第一氮化物半导体层和所述氮化硅层；以及通过金属有机化学气相沉积形成具有平坦上表面的第三氮化物半导体层以掩埋所述第二氮化物半导体层的所述倾斜面；在通过金属有机化学气相沉积形成第二氮化物半导体层的所述步骤中，提供到金属有机化学气相沉积生长设备的生长腔中的V族元素气体与III族元素气体的摩尔流量比率设置为240或更小。
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