[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201210519648.0 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103594441B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 王宗鼎;郑荣伟;李柏毅 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/50 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体封装件,包括位于半导体衬底的钝化层、位于钝化层的凸块以及位于钝化层上方并覆盖凸块的下部的模塑料层。模塑料层覆盖钝化层的侧壁。本发明还提供了半导体封装件的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装件,包括:芯片,包括:具有第一厚度的半导体衬底,所述半导体衬底包括凹槽,其中,所述凹槽包括:具有第一宽度和第一深度的第一凹槽;和具有第二宽度和第二深度的第二凹槽,其中,所述第二深度大于所述第一深度,且所述第二深度小于第一厚度;钝化层,位于所述半导体衬底上方;和凸块,位于所述钝化层上方;以及模塑料层,位于所述钝化层上方并覆盖所述凸块的下部;其中,所述模塑料层覆盖所述钝化层的侧壁,所述第二凹槽填充有模塑料层,并且所述第一凹槽填充有模塑料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210519648.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。