[发明专利]半导体器件的制造方法及装置有效
| 申请号： | 201210491746.8 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839876B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王坚;贾照伟;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法及装置，以提高半导体器件的性能并降低半导体器件的制造成本，该方法包括：提供半导体基底，并在半导体基底上依次形成介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层；在介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层内形成沟槽和通孔；在硅氧化层的顶表面及沟槽和通孔的内壁形成阻挡层；在阻挡层的顶表面及沟槽和通孔内沉积金属层；采用无应力抛光的方法将沟槽和通孔外的金属层及沟槽和通孔内的部分金属层去除，使沟槽和通孔内的金属层的高度与低K介电质层的顶表面齐平；采用气相刻蚀的方法将沟槽和通孔外的阻挡层、硅氧化层及金属硬掩膜层去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，并在半导体基底上依次形成介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层；在介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层内形成沟槽和通孔；在硅氧化层的顶表面及沟槽和通孔的内壁形成阻挡层；在阻挡层的顶表面及沟槽和通孔内沉积金属层；采用无应力抛光的方法将沟槽和通孔外的金属层及沟槽和通孔内的部分金属层去除，使沟槽和通孔内的金属层的高度与低K介电质层的顶表面齐平；采用气相刻蚀的方法将沟槽和通孔外的阻挡层、硅氧化层及金属硬掩膜层去除；其中，采用气相刻蚀的方法将硅氧化层去除进一步包括：向硅氧化层的表面喷洒二氟化氙气体的同时喷洒水蒸气、乙酸气体或甲酸气体，水蒸气、乙酸气体或甲酸气体与二氟化氙一起与硅氧化层反应，去除硅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
