[发明专利]半导体器件的形成方法及检测方法有效
| 申请号： | 201210485213.9 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103832966A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王清蕴;袁立春;严轶博;杨晓松;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02;H01L21/66;H01L23/544;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法及检测方法中，在形成背面标记后，在晶圆的正面进行两次曝光，获得第一标记和第二标记，则可以通过现有的设备对所述第一标记和第二标记进行检测，从而由第一标记和第二标记的相互关系得知器件的结构情况，避免了手动操作带来的风险，同时由于所述第一标记和第二标记位于同一层面内，读数不精确的问题也得到解决，还能够很大程度上节省人力物力，有利于高效生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 检测 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆的背面形成有背面标记；在所述晶圆的正面进行第一次曝光，形成第一标记；将所述晶圆旋转180°，进行第二次曝光，形成第二标记。
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