[发明专利]对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进

摘要

本发明涉及对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进。本发明提供了一种制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法包括：在硅衬底上方形成非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层，在UID GaN层上方形成施主供应层，形成栅极，在栅极和施主供应层的部分上方形成钝化层，以及在施主供应层和钝化层的部分上方形成欧姆源极结构和欧姆漏极结构。源极结构包括源极接触部和顶部。顶部与源极接触部和栅极之间的钝化层重叠，并且可以与栅极的一部分以及栅极和漏极结构之间的钝化层的一部分重叠。

主权项

一种方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上方外延生长氮化镓(GaN)层；在所述GaN层上方外延生长施主供应层；在所述施主供应层上形成栅极；在所述栅极和所述施主供应层上方沉积钝化膜；蚀刻所述钝化膜的一部分，以形成到达所述施主供应层的源极开口和漏极开口，所述源极开口和所述漏极开口设置在所述栅极的相对两侧；在所述开口和所述钝化膜上方沉积欧姆金属层；以及蚀刻所述欧姆金属层的一部分，以形成源极结构和漏极结构，所述源极结构包括顶部，所述顶部设置在所述源极结构和所述栅极之间的所述钝化膜的至少一部分的上方。