[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在衬底上形成硬掩膜层；图案化硬掩膜层；在所述硬掩膜层的侧壁上形成间隙壁；蚀刻半导体材料层，形成第一栅极区域；氧化半导体材料层的侧壁，以形成第一栅极区域的栅氧化物层；沉积第二半导体材料层，以形成第一栅极电极；氧化第二半导体材料层的顶部；图案化剩余的硬掩膜层，以形成鳍片图案；蚀刻半导体材料层，以形成第一鳍片、第二鳍片以及第二栅极区域；在第二鳍片上形成栅氧化层，在第一鳍片上形成第二栅极区域的栅氧化物层；沉积第三半导体材料层，形成第二栅极电极。本发明所述方法更加容易控制。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底包括依次层叠的支撑衬底、氧化物绝缘层、半导体材料层；在所述衬底上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，以露出部分所述半导体材料层；在所述硬掩膜层的侧壁上形成间隙壁；以所述硬掩膜层及所述间隙壁为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以露出所述半导体材料层的侧壁和所述氧化物绝缘层，形成第一栅极区域；氧化露出的所述半导体材料层的侧壁，以形成第一栅极区域的栅氧化物层；在露出的所述氧化物绝缘层上沉积第二半导体材料层，然后平坦化并回蚀刻，使所述第二半导体材料层和所述硬掩膜层平齐，以形成第一栅极电极；氧化所述第二半导体材料层的顶部，以形成氧化物，作为介电层；图案化剩余的所述硬掩膜层，以形成鳍片图案；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体材料层，以形成位于所述间隙壁下面的第一鳍片、位于所述鳍片图案下面的第二鳍片以及第二栅极区域；氧化所述半导体材料层的侧壁，以在所述第二鳍片上形成栅氧化层，在所述第一鳍片上形成第二栅极区域的栅氧化物层；在衬底上沉积第三半导体材料层，以覆盖所述第二栅极区域和部分所述介电层，形成第二栅极电极。