[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201210444474.6 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931099A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；在所述半导体基底上形成钝化层，所述钝化层具有暴露焊盘表面的第一开口；在所述焊盘上的形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；在所述半导体基底上形成钝化层，所述钝化层具有暴露焊盘表面的第一开口；在所述焊盘上的形成柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；在所述柱状电极上形成焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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