[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210433703.4 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103035826A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 中山俊弥;樋口和人;小泉洋;西内秀夫;小幡进;木村晃也;杉崎吉昭;小岛章弘;秋元阳介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：发出光的发光单元；波长变换单元，包括荧光体并被提供在所述发光单元的表面上；以及透明树脂，被提供在所述波长变换单元的顶部上，其中：所述透明树脂比所述波长变换单元具有大的肖氏硬度。
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