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[发明专利]元件阵列的加压装置、制造装置和制造方法-CN202180018607.0在审
发明人： 小泉洋;加藤康生;山下诚;牧田光悦;进藤谅;进藤修;饭塚博;须永诚寿郎;宫腰敏畅 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供能够在安装基板上稳定地制造元件阵列的元件阵列的加压装置、制造装置和制造方法。元件阵列的加压装置(10)包括具有加压部(12)的加压板(11)，加压部(12)对配置于安装基板(30)的多个元件(40a～40c)构成的元件阵列(40)进行加压。加压部(12)具有与加压板(11)的表面相比表面精度高的板状的硬质件(13)。
元件阵列加压装置制造方法

[发明专利]发光装置-CN201410444280.5在审
发明人：中川启治;小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：实施方式提供一种可改善发光色控制性及光输出特性的发光装置。实施方式的发光装置包括：发光体，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面、以及侧面；第1波长转换体，沿着所述侧面而设于所述发光体周围，且包含第1荧光体，该第1荧光体由所述发光体放射的1次光激发，而放射出与所述1次光波长相异的2次光；以及第2波长转换体，设于所述第1面上的至少一部分，并包含放射出波长不同于所述1次光以及所述2次光的另一2次光的第2荧光体。
发光装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201310399990.6在审
发明人：贵志寿之;小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置，其包括：第1柱部、第2柱部、波长转换层、发光部、树脂部和中间层。第1柱部向第1方向延伸，并且为导电性。第2柱部在与第1方向交叉的第2方向上与第1柱部隔开，其向第1方向延伸，并且为导电性。波长转换层在第1方向上与第1柱部及第2柱部隔开。发光部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，第1半导体层包括设置在第1柱部的至少一部分与波长转换层之间的第1半导体部分和设置在第2柱部与波长转换层之间的第2半导体部分，第2半导体层设置在第2柱部与第2半导体部分之间，发光层设置在第2半导体部分与第2半导体层之间，并放出第1光。
半导体发光装置

[发明专利]光学半导体装置及其制造方法-CN201410171281.7在审
发明人： 小泉洋;冈田康秀;小幡进;中具道;樋口和人;下川一生;杉崎吉昭;小岛章弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
光学半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201210433703.4无效
发明人：中山俊弥;樋口和人;小泉洋;西内秀夫;小幡进;木村晃也;杉崎吉昭;小岛章弘;秋元阳介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置及其制备方法-CN201210068814.X有效
发明人： 小泉洋;樱井直明;杉崎吉昭;冈田康秀;中具道;上北将广;小岛章弘;秋元阳介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
半导体发光装置及其制备方法

[发明专利]半导体发光装置的制造方法-CN201110192487.4有效
发明人：秋元阳介;小岛章弘;猪塚幸;杉崎吉昭;小泉洋;中具道;冈田康秀 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
半导体发光装置制造方法

[发明专利]光学半导体装置及其制造方法-CN201110207833.1无效
发明人： 小泉洋;冈田康秀;小幡进;中具道;樋口和人;下川一生 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
光学半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法及发光装置的制造设备-CN201110042922.5无效
发明人： 小泉洋;冈田康秀;山边纯成;樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：根据一个实施方案，发光装置包括壳体部件、设置于壳体部件中的发光元件、第一发光体层和第二发光体层。所述第一发光体层设置于所述发光元件上并含有第一发光体。第二发光体层设置于所述第一发光体层上并含有第二发光体。所述第一发光体的发光效率高于所述第二发光体的发光效率。
发光装置制造方法设备

[发明专利]涂布装置、涂布体的制造方法及流体喷出装置-CN200880006435.X有效
发明人：佐藤强;近藤弘康;樱井直明;山边纯成;添田胜之;小泉洋;木村修一;木下静雄 -专利权人：株式会社东芝;佳能株式会社
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：在涂布装置(1)中，包括：液滴喷射部，所述液滴喷射部向涂布对象物(2)喷射第一溶液的液滴，在涂布对象物(2)上涂布液滴；重新润湿干燥部(6)，所述重新润湿干燥部(6)赋予涂布到涂布对象物(2)上的第一溶液残留物能够溶解残留物的溶剂，形成作为溶质包含残留物的第二溶液的涂布体，使形成的第二溶液涂布体干燥。
装置涂布体制造方法流体喷出

[发明专利]液滴喷射头-CN200810166293.5有效
发明人： 小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： B05B17/04 文献下载
摘要：本发明提供一种可以防止由于喷嘴数目增加引起的大型化的液滴喷射头。在液滴喷射头中，包括：喷嘴板(6)，所述喷嘴板具有排列成一列的多个喷嘴(6b)以及分别与多个喷嘴(6b)连通、沿着同一个方向延伸的多个流体流路(6a)；液室板，所述液室板具有在多个流路(6a)上分别与多个液体流路(6a)连通的多个液室(5a)；多个压电元件(3a)，所述压电元件以各自的一端对向的方式设置在多个液室(5a)上；规定的喷嘴(6b)和分别与邻接的另外的喷嘴(6b)连通的液室(5a)的喷嘴(6b)之间的距离，周期性的变化。
喷射

[发明专利]喷嘴板、喷嘴板的制造方法、液滴喷出头及液滴喷出装置-CN200710185787.3有效
发明人：樱井直明;山边纯成;小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种喷嘴板，其特征在于，包括：第1硅层；玻璃层；设置在所述第1硅层与所述玻璃层之间、并与所述玻璃层接合的第2硅层；以及设置在所述第1硅层与所述第2硅层之间的氧化硅层，该喷嘴板形成有：贯通所述第1硅层并喷出液滴的喷嘴孔；贯通所述氧化硅层及所述第2硅层、并与所述喷嘴孔连通的流路；以及形成在所述玻璃层上并与所述流路连通的液室。
喷嘴制造方法喷出装置

[发明专利]喷墨涂层装置-CN200710165182.8有效
发明人： 小泉洋;木名瀬淳;柴岳人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供一种喷墨涂层装置，其可一直稳定进行墨滴涂层，并且可对涂层于基板上的溶剂的干燥进行管理。在本发明的喷墨涂层装置(1)中具备喷墨打印头(42)，其包括喷射墨滴的喷嘴(50)的喷口；密封机构(97)，其通过压力容器(96)而密封喷嘴(50)的喷口；溶剂供应机构(91)，其以固定压力对喷嘴(50)供应溶剂。并且，具有涂层部(3)，其由设有用于喷射墨滴的喷嘴(50)的喷墨打印头(42)的喷嘴(50)将墨滴喷射到涂层对象(30)并进行涂层；盖罩(51)，其在涂层部(3)中覆盖涂层对象(30)，并且支承溶剂支承体(52)；以及溶剂供应部(53)，其将溶剂供应到支承在盖罩(51)上的溶剂支承体(52)。
喷墨涂层装置

[发明专利]液滴喷射装置及涂敷体的制造方法-CN200610142976.8无效
发明人：木名濑淳;小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： B41J2/165 文献下载
摘要：本发明提供能抑制装置大型化、防止液滴喷射不良的发生的液滴喷射装置。该液滴喷射装置备有液滴喷射头(7)、抽吸部(21)、支承移动部(22)和排气部(23)。液滴喷射头(7)可移动地设置着，具有形成了若干个喷嘴(7a)的喷嘴面(7b)，从若干个喷嘴(7a)分别喷射液滴。抽吸部(21)从与喷嘴面(7b)相向的相向位置，抽吸被液滴喷射头(7)喷射的液滴。支承移动部(22)支承抽吸部(21)并且能使其与液滴喷射头(7)一起移动，将支承着的抽吸部(21)移动到相向位置和离开该相向位置的非相向位置。排气部对抽吸部(21)内进行排气，对抽吸部(21)付与抽吸力。
喷射装置涂敷体制造方法

[发明专利]喷墨涂层装置-CN200510124397.6有效
发明人： 小泉洋;木名瀬淳;柴岳人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供一种喷墨涂层装置，其可一直稳定进行墨滴涂层，并且可对涂层于基板上的溶剂的干燥进行管理。在本发明的喷墨涂层装置(1)中具备喷墨打印头(42)，其包括喷射墨滴的喷嘴(50)的喷口；密封机构(97)，其通过压力容器(96)而密封喷嘴(50)的喷口；溶剂供应机构(91)，其以固定压力对喷嘴(50)供应溶剂。并且，具有涂层部(3)，其由设有用于喷射墨滴的喷嘴(50)的喷墨打印头(42)的喷嘴(50)将墨滴喷射到涂层对象(30)并进行涂层；盖罩(51)，其在涂层部(3)中覆盖涂层对象(30)，并且支承溶剂支承体(52)；以及溶剂供应部(53)，其将溶剂供应到支承在盖罩(51)上的溶剂支承体(52)。
喷墨涂层装置

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