[发明专利]刷新方法和使用刷新方法的半导体存储器件有效
| 申请号： | 201210381052.9 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103426462B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 金根国 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刷新方法和使用刷新方法的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括全体存储体选择信号发生模块，所述全体存储体选择信号发生模块被配置成接收包括关于已被刷新了的至少一个存储体的信息的电平信号，并响应于全体存储体刷新命令而产生全体存储体选择信号；以及包括多个存储体的存储体模块，所述存储体模块被配置成响应于全体存储体选择信号而被刷新，或响应于在电平信号被使能时而被使能的单个存储体选择信号而被刷新。 | ||
| 搜索关键词： | 刷新 方法 使用 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：全体存储体选择信号发生模块，所述全体存储体选择信号发生模块被配置成接收电平信号并响应于全体存储体刷新命令而产生全体存储体选择信号，所述电平信号包括关于已被刷新了的至少一个存储体的信息；以及包括多个存储体的存储体模块，所述多个存储体被配置成响应于所述全体存储体选择信号而被刷新，或响应于在所述电平信号被使能时被使能的单个存储体选择信号而被刷新,其中，已经在单个存储体刷新操作中被刷新了的存储体在全体存储体刷新操作中不被刷新。
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