[发明专利]一种霍尔芯片定位装置有效

专利信息
申请号: 201210378175.7 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102903843A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 胡邵裔;戴嵘 申请(专利权)人: 上海航天汽车机电股份有限公司传感器分公司
主分类号: H01L43/14 分类号: H01L43/14
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨;孙健
地址: 200125 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种霍尔芯片定位装置,其直线导轨端部装有等高座,等高座上连接支架,连接支架靠近等高座的一端装有气缸座、另一端装有霍尔芯片压板和送料滑块,霍尔芯片压板成“L”字形,霍尔芯片压板一端与连接支架成铰链连接,霍尔芯片压板与气缸座之间装有压紧气缸,压紧气缸与气缸座和霍尔芯片压板之间均成铰链连接,霍尔芯片压板与压紧气缸之间铰链连接位于霍尔芯片压板“L”字形的270度夹角处,送料滑块与连接支架成固定连接,送料滑块外形与霍尔芯片压板相配,送料滑块与霍尔芯片压板紧贴的面上有与所需要夹紧的霍尔芯相配的凹槽和突隼。本发明大幅提升定位精度,机构运行安全、可靠。
搜索关键词: 一种 霍尔 芯片 定位 装置
【主权项】:
一种霍尔芯片定位装置,包括直线导轨(10)、连接支架(11)、压紧气缸(5)、霍尔芯片压板(3)、送料滑块(2)和定位钉(1),其特征在于,所述直线导轨(10)端部装有等高座(9),所述等高座(9)上连接支架(11),所述连接支架(11)与直线导轨(10)之间成90度夹角,所述连接支架(11)靠近等高座(9)的一端装有气缸座(8)、另一端装有霍尔芯片压板(3)和送料滑块(2),所述霍尔芯片压板(3)成“L”字形,所述霍尔芯片压板(3)一端与连接支架(11)成铰链连接,所述霍尔芯片压板(3)与气缸座(8)之间装有压紧气缸(5),所述压紧气缸(5)与气缸座(8)和霍尔芯片压板(3)之间均成铰链连接,所述霍尔芯片压板(3)与压紧气缸(5)之间铰链连接位于霍尔芯片压板(3)“L”字形的270度夹角处,所述送料滑块(2)与连接支架(11)成固定连接,所述送料滑块(2)外形与霍尔芯片压板(3)相配,当所述压紧气缸(5)的活塞杆推出到最远点时、霍尔芯片压板(3)90度夹角一侧紧贴送料滑块(2)所对应的面,所述送料滑块(2)与霍尔芯片压板(3)紧贴的面上有与所需要夹紧的霍尔芯片相配的凹槽和突隼。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海航天汽车机电股份有限公司传感器分公司,未经上海航天汽车机电股份有限公司传感器分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210378175.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种制备SOT-MRAM底电极的方法-201910079796.7
  • 赵巍胜;朱道乾;曹凯华;乔俊峰 - 北京航空航天大学
  • 2019-01-28 - 2019-06-14 - H01L43/14
  • 本发明公开一种制备SOT‑MRAM底电极的方法,该方法是通过制备多层膜而非生长单一材料来制备SOT‑MRAM的底电极。所述的多层膜,每一层材料的选择为:具备强自旋‑轨道耦合的非磁材料的一种,或具备弱自旋‑轨道耦合的非磁材料中的一种,或铁磁材料中的一种。本发明方法制备工艺简单,与现有磁存储技术完全兼容。一方面,通过结合不同材料的优点,可制备高自旋霍尔电导率的材料,从而克服传统SOT‑MRAM底电极电阻率过高的问题,有利于降低SOT‑MRAM的功耗并提高器件集成度;另一方面,不同材料之间的界面可产生含有垂直方向分量的自旋流,从而有望实现垂直磁隧道结的无场翻转。
  • 一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法-201611191829.X
  • 张云森 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2016-12-21 - 2018-06-29 - H01L43/14
  • 本发明提供了一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法:步骤一:提供底电极基底,并在基底上沉积磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层;步骤二:图形化定义磁性隧道结图案,刻蚀磁性隧道结;步骤三:气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结侧壁进行修剪以除去侧壁损伤/沉积层;步骤四:沉积电介质,化学抛光磨平电介质直到硬掩模的顶部。由于气体团簇离子束的横向溅射行为,团簇或者原子能够到达被图案化的磁性隧道结的每个角落,能够有效的去除覆盖在侧壁的损伤和再次沉积层,同时,由于每个原子的能量非常低,团簇气体原子不会带来新的损伤,非常有利于磁性随机存储器磁学、电学性能的提升和良率的改善。
  • 一种提高磁振子扩散长度的方法-201711455802.1
  • 王拴虎;王建元;金克新;闫虹;张兆亭;王民 - 西北工业大学
  • 2017-12-28 - 2018-06-05 - H01L43/14
  • 本发明公开了一种提高磁振子扩散长度的方法,该方法首先通过脉冲激光沉积的方法在钆镓石榴石衬底上生长了40nm的YIG,之后通过磁控溅射的方法在YIG上制备了条形Pt电极。通过聚焦激光束照射样品表面,在被照射的部位会形成垂直样品表面的温度梯度。进而通过自旋塞贝克效应参数非平衡磁振子,非平衡磁振子通过面内进行扩散,当达到Pt电极时,会在Pt电极中产生逆自旋霍尔效应,进而产生电压。通过改变光斑的位置,来探测Pt中的电压,就可以探测到磁振子的扩散长度。本发明大大提高YIG磁振子的扩散长度。
  • 一种霍尔元件的制备方法-201711166888.6
  • 何渊;胡双元 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2017-11-21 - 2018-05-01 - H01L43/14
  • 本发明公开了一种霍尔元件的制备方法,该方法包括如下步骤在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影,对基底进行刻蚀;将铜箔基底放入化学气相沉积反应室,通入甲烷和氢气形成石墨烯;石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区;在Si衬底和石墨烯表面整体生长一层钝化层;对钝化层开口后蒸镀金属,作为激励和输出电极。本发明通过对石墨烯生长的金属基底预处理可直接生成有源区形状,并在石墨烯转移至硅衬底后,通过优先钝化再开口蒸镀电极,避免了石墨烯接触相关有机溶剂而造成性能降低,大大提高了工艺良品率及器件性能;此外,该方法步骤简单,适用于工业生产。
  • 一种增强反常霍尔效应的方法-201610053351.8
  • 韩芍娜;邢玮玮;黄海松;赵艳伟;赵娜 - 郑州工商学院
  • 2016-01-26 - 2018-02-02 - H01L43/14
  • 本发明提供一种增强反常霍尔效应的方法,可以通过调控电压来控制正常霍尔效应和反常霍尔效应的强弱。所述方法是按照下述方式进行的步骤(1),用脉冲激光沉积法在基片上制备电极;步骤(2),在电极层上制备铁电薄膜;步骤(3),在铁电薄膜上面,镀上两个十字形的Pt薄膜;步骤(4),将Ag焊到Pt的6个端点或者银浆点到Pt的端点上;步骤(5),测量霍尔效应。本发明将Pt沉积在绝缘的磁性材料上,便可以对其导电性和磁性进行测量和表征,直接通过外电场可以调控正常霍尔效应和反常霍尔效应的强弱。
  • 一种车用传感器芯片的制备方法-201710508912.3
  • 张峰;宋宇莉;张伟玲 - 吉林省贝林电子技术有限责任公司
  • 2017-06-28 - 2017-11-03 - H01L43/14
  • 本发明涉及一种传感器芯片的制备方法,具体涉及一种车用传感器芯片的制备方法。公开了一种车用传感器芯片的制备方法,包括以下步骤S1、化合物半导体单晶材料磨片,得到芯片;S2、腐蚀;把芯片浸入腐蚀液中进行化学减薄,减至0.2mm以下;S3、清洗;S4、贴片;胶固化条件为150℃半小时;芯片加热到50‑60℃,再将其贴在平坦的陶瓷片上;S5、二氧化硅沉积;S6、蒸镀金属电极;S7、通过半导体加工工艺加工成传感器芯片。该制备方法工艺简单、重复性好,所得车用传感器芯片的灵敏度可提高6‑10%,结构牢固,具有良好的温度特性,在特别严酷的使用条件下仍能保持较高的精度。
  • 制造单片集成在半导体芯片处的磁传感器元件-201410257970.X
  • 马克·艾斯勒;弗雷德里克·威廉·莫瑞蒂斯·万赫尔蒙特 - 恩智浦有限公司
  • 2014-06-11 - 2017-05-24 - H01L43/14
  • 描述了一种制造磁传感器模块的方法,所述磁传感器模块具有在半导体芯片(110)处单片集成的磁传感器元件。所述方法包括设置复合半导体结构(105),所述复合半导体结构包括(i)半导体芯片(110),(ii)针对集成电路的接触元件(112),所述接触元件形成于半导体芯片上,以及(iii)在半导体芯片(110)上和接触元件(112)上形成的介电层(120);形成磁传感器层,所述磁传感器层在介电层(120)上单片地设置用于磁传感器元件的材料;通过去除位于接触元件(112)上方的那部分介电层(120)来暴露接触元件(112);以及在所形成的磁传感器层或者暴露出的接触元件(112)上形成导电保护层。还描述了一种通过上述方法制造的磁传感器模块。
  • 一种高灵敏度霍尔元件的制备方法-201510948325.7
  • 胡双元;朱忻 - 苏州矩阵光电有限公司
  • 2015-12-17 - 2016-05-18 - H01L43/14
  • 本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,包括以下步骤:a)提供半导体衬底;b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层;c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层;d)采用腐蚀方法,将半导体衬底与霍尔元件功能层分离;e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上;f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化;g)霍尔元件表面粘附磁性芯片,进行封装。根据本发明,采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜,性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件;采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层,可大大降低生产成本;磁性基板和芯片,可以大大提高霍尔元件的灵敏度。
  • 一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法-201410264504.4
  • 宋成;憨家豪;潘峰 - 清华大学
  • 2014-06-13 - 2014-08-27 - H01L43/14
  • 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法,其包括以下步骤:采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜,采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结;在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流;在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场;利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度,并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻,生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系,避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。
  • 一种制造半导体材料的方法-201410178882.0
  • 李世彬;余宏萍;张鹏;王建波;杨亚杰 - 电子科技大学
  • 2014-04-30 - 2014-08-06 - H01L43/14
  • 本发明实施例公开了一种制造半导体材料的方法,包括:对衬底基片进行预处理;将预处理后的衬底基片置于反应室中,在衬底基片上生长形成第一氮化铝层;在第一氮化铝层上生长形成氮化镓层;在氮化镓层上生长形成第二氮化铝层。根据本发明的实施例的方法制造的半导体材料中,形成了AlN/GaN/AlN结构的量子阱。在该量子阱结构中,由于AlN和GaN的自发极化不同,在两个异质结面行成相反的两种极化电荷,进一步的行成强的内建电场,驱使量子阱内能带反转,形成稳定的且低电阻的运输态。这样,不需要额外的外加电场驱使量子阱形成拓扑绝缘态,提高了半导体器件的稳定性和可靠性,降低了器件的能耗。
  • 一种GaAs霍尔器件的制作方法-201310197712.2
  • 李赞军 - 李赞军
  • 2013-05-24 - 2013-09-04 - H01L43/14
  • 一种GaAs霍尔器件的制作方法,所述方法首先在高阻砷化镓基片上生长掺Si的砷化镓外延层来形成有源层,然后依次在有源层上蒸镀金属电极、生长SiO2薄膜并将SiO2薄膜腐蚀成霍尔器件所需的有源区图形,最后在有源层的未被金属电极和SiO2薄膜覆盖的区域内注入离子,使所述区域形成半绝缘隔离区,从而获得霍尔器件芯片。本发明采用选择性离子注入的方法将有源层的多余部分转化为半绝缘隔离区,从而使有源层的未转化部分形成符合设计要求的有源区。同传统的化学腐蚀方法相比,所述方法所得到的有源区图形精度高、对称性好,因此大大降低了霍尔器件的失调电压,提高了器件的稳定性。
  • 一种霍尔芯片定位装置-201210378175.7
  • 胡邵裔;戴嵘 - 上海航天汽车机电股份有限公司传感器分公司
  • 2012-09-29 - 2013-01-30 - H01L43/14
  • 本发明涉及一种霍尔芯片定位装置,其直线导轨端部装有等高座,等高座上连接支架,连接支架靠近等高座的一端装有气缸座、另一端装有霍尔芯片压板和送料滑块,霍尔芯片压板成“L”字形,霍尔芯片压板一端与连接支架成铰链连接,霍尔芯片压板与气缸座之间装有压紧气缸,压紧气缸与气缸座和霍尔芯片压板之间均成铰链连接,霍尔芯片压板与压紧气缸之间铰链连接位于霍尔芯片压板“L”字形的270度夹角处,送料滑块与连接支架成固定连接,送料滑块外形与霍尔芯片压板相配,送料滑块与霍尔芯片压板紧贴的面上有与所需要夹紧的霍尔芯相配的凹槽和突隼。本发明大幅提升定位精度,机构运行安全、可靠。
  • 霍尔IC组件的制造方法-200910204183.8
  • 林逸彬 - 安普生科技股份有限公司
  • 2009-10-19 - 2011-05-04 - H01L43/14
  • 本发明涉及一种霍尔IC组件的制造方法,包括固晶、支架入穴、注胶、以及固化抽出等步骤,其采用浇注方式注入封装胶材,排除压模注胶的压力对霍尔IC芯片的不利影响,提高霍尔IC组件的制造合格率;封装胶材采用透明的封装胶材,具有良好的透光性,提高霍尔IC组件在组装对位上的方便性及精准度。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top