[发明专利]一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210368283.6 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102969364A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 向桂华;王娟;赵伟明 | 申请（专利权）人： | 东莞有机发光显示产业技术研究院;东莞彩显有机发光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人： | 张作林 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，涉及薄膜晶体管领域。该薄膜晶体管包括基板、有源层辅助电极、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极；其中，有源层辅助电极设于基板之上，有源层设于有源层辅助电极之上，源极设于有源层上侧之一端，漏极设于有源层上侧之另一端，绝缘层设于有源层上侧之中部，栅极设于绝缘层之上；有源层为复合膜层结构或单层膜层结构，当有源层为复合膜层结构时，从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层；当有源层为单层膜层结构时，为金属氧化物膜层。本发明针对有源层结构，通过增加有源层辅助电极的方法来减少接触电阻；在有源层下方制作辅助电极，可有效提高薄膜晶体管的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 器件 均匀 结构 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管包括基板、有源层辅助电极、有源层、绝缘层、栅极、源极和漏极；其中，有源层辅助电极设于基板之上，有源层设于有源层辅助电极之上，源极设于有源层上侧之一端，漏极设于有源层上侧之另一端，绝缘层设于有源层上侧之中部，栅极设于绝缘层之上；有源层辅助电极有两支，均设于基板与有源层之间并分别与源极和漏极相连接；有源层为复合膜层结构或单层膜层结构，当有源层为复合膜层结构时，从下而上依次为贫氧型金属氧化物膜层、富氧型金属氧化物膜层；当有源层为单层膜层结构时，为金属氧化物膜层。
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