[发明专利]一种功率型发光二极管的制作方法

摘要

本发明提供一种功率型发光二极管的制作方法，先于蓝宝石衬底表面制作u-GaN层，并刻蚀该u-GaN层形成由多个走道隔成多个独立的u-GaN单元；于各该u-GaN单元表面溅射周期性的介质层，并将其刻蚀成多个六角阵列排列且具有预设图案的介质层单元；然后沉积LED结构外延层、清理走道、制备电极、背面激光内切、背镀反射镜，最后裂片完成芯片制备。采用较薄的u-GaN层进行晶胞隔离，可以大大减小隔离时对u-GaN层及晶胞侧壁的损伤，制作图形化的介质层可以有效的提高发光二极管的亮度，采用激光内切，不但可以提高LED芯片的出光效率，并且可以大大降低芯片制备过程中的碎片率。

主权项

一种功率型发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底上制备u‑GaN层；2）刻蚀所述u‑GaN层至所述蓝宝石衬底形成多个走道，以隔出多个相互独立的u‑GaN单元；3）于各该u‑GaN单元上形成介质层；4）对各该介质层进行图案化处理，以在各该u‑GaN单元表面的形成多个周期性排列且具有预设图案的介质层单元；5）于上述结构表面形成发光外延层；6）清除各该走道内的发光外延层，并于所述发光外延层中刻蚀出N电极制备区域，然后制备P电极及N电极，形成多个发光二极管晶胞；7）对所述蓝宝石衬底进行减薄；8）依据各该发光二极管晶胞对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理；9）于所述蓝宝石衬底背表面制作背镀反射镜；10）对上述结构进行裂片以获得多个独立的发光二极管晶胞。