[发明专利]一种功率型发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种功率型发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底上制备u-GaN层；

2）刻蚀所述u-GaN层至所述蓝宝石衬底形成多个走道，以隔出多个相互独立的u-GaN单元；

3）于各该u-GaN单元上形成介质层；

4）对各该介质层进行图案化处理，以在各该u-GaN单元表面的形成多个周期性排列且具有预设图案的介质层单元；

5）于上述结构表面形成发光外延层；

6）清除各该走道内的发光外延层，并于所述发光外延层中刻蚀出N电极制备区域，然后制备P电极及N电极，形成多个发光二极管晶胞；

7）对所述蓝宝石衬底进行减薄；

8）依据各该发光二极管晶胞对所述蓝宝石衬底进行激光内切处理；

9）于所述蓝宝石衬底背表面制作背镀反射镜；

10）对上述结构进行裂片以获得多个独立的发光二极管晶胞。

2.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：采用化学气相沉积法或氢化物气相外延法制备所述u-GaN层。

3.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述u-GaN层的厚度2~5um。

4.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述介质层为SiO₂层、SiO₂与Ti₂O₅周期性溅射层或SiO₂与Ta₂O₅周期性溅射层。

5.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述介质层的厚度为60~1200nm。

6.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述介质层单元的形状为正六边形、圆形、矩形、正方形或菱形。

7.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述介质层单元呈六角阵列排列。

8.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤6）中，采用选择性腐蚀技术或感应耦合等离子刻蚀技术清除各该走道内的发光外延层。

9.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤8）中，采用激光对减薄后的蓝宝石衬底进行2次内切处理。

10.根据权利要求1所述的功率型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤9）中，采用裂片刀的方式进行裂片。