[发明专利]一种VDMOS管以及VDMOS管的制造方法无效
| 申请号： | 201210342823.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103681842A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS管以及VDMOS管的制作方法，所述VDMOS管具体包括：元胞区域，所述元胞区域具体包括：外延层；在所述外延层表面形成的栅氧化区域；在所述栅氧化区域表面形成的栅极多晶硅区域；在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成的钛的硅化物层；栅极金属层，设置于所述元胞区域表面的第一区域；源极金属层，设置于所述元胞区域表面的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS管，其特征在于，包括：元胞区域，所述元胞区域具体包括：外延层；在所述外延层表面形成的栅氧化区域；在所述栅氧化区域表面形成的栅极多晶硅区域；在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成的钛的硅化物层；栅极金属层，形成于所述元胞区域表面的第一区域；源极金属层，形成于所述元胞区域表面的第二区域。
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