[发明专利]一种VDMOS管以及VDMOS管的制造方法

权利要求书

1.一种VDMOS管，其特征在于，包括：

元胞区域，所述元胞区域具体包括：外延层；在所述外延层表面形成的栅氧化区域；在所述栅氧化区域表面形成的栅极多晶硅区域；在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成的钛的硅化物层；

栅极金属层，形成于所述元胞区域表面的第一区域；

源极金属层，形成于所述元胞区域表面的第二区域。

2.如权利要求1所述的VDMOS管，其特征在于，所述钛的硅化物层，具体采用如下方式形成：

在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成钛层；

使所述钛层与所述栅极多晶硅区域以及所述外延层反应，进而在所述外延层表面和所述栅极多晶硅区域表面形成钛的硅化物层。

3.如权利要求1所述的VDMOS管，其特征在于，所述VDMOS管还包括：

氮化硅侧墙，形成于在所述栅极多晶硅区域中的每个多晶硅区域侧壁。

4.如权利要求3所述的VDMOS管，其特征在于，所述VDMOS管还包括：

介质层，形成于所述钛的硅化物层表面的第三区域以及所述氮化硅侧墙表面。

5.如权利要求4所述的VDMOS管，其特征在于，所述源极金属层具体形成于：

所述介质层表面的第四区域以及所述外延层表面不包含所述介质层的第五区域。

6.如权利要求4所述的VDMOS管，其特征在于，所述栅极金属层具体形成于：

所述介质层表面的第六区域。

7.如权利要求6所述的VDMOS管，其特征在于，所述VDMOS管还包括：

第一开孔，形成于所述介质层上与所述栅极金属层的第七区域对应的第八区域，并且，所述第一开孔中包含与所述栅极金属层所对应的金属，以将所述栅极金属层连接于所述钛的硅化物层。

8.一种VDMOS管制造方法，其特征在于，所述方法用于对包括由外延层，在所述外延层表面形成的栅氧化区域，以及在所述栅氧化区域中每个栅氧化区域表面形成的栅极多晶硅区域所构成元胞区域进行加工，所述方法包括：

在所述外延层表面和所述栅极多晶硅区域表面形成钛的硅化物层；

在所述元胞区域表面的第一区域形成的源极金属层；

在所述元胞区域表面的第二区域形成的栅极金属层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述外延层表面和所述栅极多晶硅区域表面形成钛的硅化物层，具体包括：

在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成钛层；

使所述钛层与所述栅极多晶硅区域以及所述外延层反应，进而在所述外延层表面和所述栅极多晶硅区域表面形成钛的硅化物层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述外延层和所述栅极多晶硅区域表面形成钛层之前，所述方法还包括：

在所述栅极多晶硅区域中的每个多晶硅区域侧壁形成氮化硅侧墙。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述使所述钛层与所述栅极多晶硅区域反应之后，所述方法还包括：

在所述钛的硅化物层表面的第三区域以及所述氮化硅侧墙表面形成介质层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述元胞区域表面的第一区域形成的源极金属层，具体为：

在所述介质层表面的第四区域以及所述外延层表面不包含所述介质层的第五区域形成源极金属层。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在所述元胞区域表面的第一区域形成的栅极金属层，具体为：

在所述介质层表面的第六区域形成栅极金属层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述介质层表面的第六区域形成栅极金属层之后，所述方法还包括：

将所述介质层上的与所述栅极金属层的第七区域对应的第八区域形成第一开孔；

在所述第一开孔内填充与所述栅极金属层所对应的金属，以将所述栅极金属层连接于所述栅极多晶硅表面的钛的硅化物层。