[发明专利]栅极结构及制造方法无效
| 申请号： | 201210283178.2 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103579317A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;陈华伦;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极结构，由依次形成于是硅衬底表面的栅极氧化层、栅极多晶硅或无定形硅、金属硅化物导电层以及顶部刻蚀阻挡层叠加而成，在栅极结构的侧面上形成有侧壁刻蚀阻挡层；器件的源漏区通过自对准接触孔引出，通过顶部刻蚀阻挡层和侧壁刻蚀阻挡层自对准定义出自对准接触孔和源漏区的接触区域。本发明还提供一种栅极结构的制造方法。本发明能使PMOS器件制作为表面沟道型PMOS器件，从而能降低PMOS器件的开启电压，还能使PMOS器件和NMOS器件实现集成，以及能实现器件源漏区的接触孔自对准，减少器件的尺寸并降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构，其特征在于，栅极结构由依次形成于是硅衬底表面的栅极氧化层、栅极多晶硅或无定形硅、金属硅化物导电层以及顶部刻蚀阻挡层叠加而成，在所述栅极结构的侧面上形成有侧壁刻蚀阻挡层；PMOS器件对应的所述栅极结构的栅极多晶硅或无定形硅为P型掺杂，NMOS器件所对应的所述栅极结构的栅极多晶硅或无定形硅为N型掺杂；所述栅极结构的两侧为所对应的所述PMOS器件或所述NMOS器件的源漏区，所述源漏区通过自对准接触孔引出，通过所述顶部刻蚀阻挡层和所述侧壁刻蚀阻挡层自对准定义出所述自对准接触孔和所述源漏区的接触区域。
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