[发明专利]氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 201210242004.1 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881794A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物发光器件，其包括：N型氮化物半导体层；有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层上；以及P型氮化物半导体层，其布置在所述有源层上。所述P型氮化物半导体层包括异质结结构，所述异质结结构具有GaN层和掺有N型掺杂剂的N型AlxInyGaN层，以及二维电子气层，所述二维电子气层形成在所述GaN层和所述N型AlxInyGaN层之间的界面中。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光器件，其包括：N型氮化物半导体层；P型氮化物半导体层；以及有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层和所述P型氮化物半导体层之间，其中，所述P型氮化物半导体层包括：异质结结构，其包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型AlxInyGaN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y=1；以及二维电子气层，其布置在所述GaN层和所述N型AlxInyGaN层之间的界面中。
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