[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210232465.0 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102737983A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;梁洁;邱达燕 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。成通孔时，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，从而在整个刻蚀过程中，保护掩膜层不会受到损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于掩膜层的刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口，所述掩膜层材料为光刻胶或无定形碳；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
