[发明专利]测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法有效
| 申请号： | 201210225784.9 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102779769A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;龙吟;王恺;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试模块，所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区；步骤2，模拟制程结构，设置井区的钨连接孔；步骤3，进行离子注入，所述P井区或N井区只注入第一道离子；步骤4，对测试模块进行扫描，得到钨连接孔的明暗图。本发明为半导体器件的井区优化提供参考，为良率提升提供了保障，且方法简便易行。 | ||
| 搜索关键词： | 测算 半导体器件 注入 离子 横向 扩散 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，建立测试模块，所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区；步骤2，模拟制程结构，设置井区的钨连接孔；步骤3，进行离子注入，所述P井区或N井区只注入第一道离子；步骤4，对测试模块进行扫描，得到钨连接孔的明暗图。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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