[发明专利]多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法无效

专利信息
申请号: 201210181935.5 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN102672296A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 田艳红;孔令超;王春青;刘威 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23K1/06 分类号: B23K1/06;B23K1/20;H01L21/60;H01L21/607
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法,属于电子制造技术领域,涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连,本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品,其中超声键合具体步骤如下:精密对准和对中后,采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2~5层硅通孔芯片的低温键合,互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法,键合温度50~200℃,有效降低温度对芯片的影响;可以快速实现叠层芯片间单金属间化合物连接,提高封装可靠性。
搜索关键词: 多层 堆叠 芯片 低温 超声键合 形成 金属 化合物 方法
【主权项】:
一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法,其特征在于所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品,其中超声键合具体步骤如下:精密对准和对中后,采用超声焊接机进行超声键合,控制超声频率20~65kHz,键合时间5秒~5分钟,键合温度为50~200℃。
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  • 陈斌 - 德龙信息技术(苏州)有限公司
  • 2011-10-09 - 2013-04-10 - B23K1/06
  • 本发明涉及双界面卡片的天线焊接方法,将双界面卡片的正面朝下放置于非金属平台衬底上,非金属平台衬底上设有金属凸台,双界面卡片正面设有双界面模块安装槽,双界面模块嵌装于双界面模块安装槽内,金属凸台对准于双界面模块安装槽;双界面卡片固定于非金属平台衬底上;双界面卡片背面的塑料层开有直孔,焊头从双界面卡片的上方向下运行,焊头穿过双界面卡片背面塑料层上的直孔对准双界面卡片中的天线与双界面模块的焊接区;通过热压焊接方式或超声焊接方式对天线和双界面模块进行焊接。本发明利用压焊/超声直接焊接方法,将加热等焊接参数直接传送到所需要的焊接界面,从而在天线与双界面模块焊区形成稳定的可靠焊接。
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