[发明专利]锗硅HBT的集电区引出结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210163783.6 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103035689A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种锗硅HBT的集电区引出结构，包括集电区电极；还包括填充结构，其顶面接触集电区电极的底面。所述填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中。所述填充结构包括下层的无掺杂多晶硅和上层的掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅中掺杂有与衬底相反类型的杂质。掺杂多晶硅的深度＞集电区的深度＞隔离区的深度。两个掺杂多晶硅的侧面接触集电区。本申请还公开了其制造方法。本申请可以降低集电区引出结构与衬底之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 集电区 引出 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT的集电区引出结构，包括集电区电极；其特征是，还包括填充结构，其顶面接触集电区电极的底面；所述填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中；所述填充结构包括下层的无掺杂多晶硅和上层的掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅中掺杂有与衬底相反类型的杂质；掺杂多晶硅的深度＞集电区的深度＞隔离区的深度；两个掺杂多晶硅的侧面接触集电区。
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