[发明专利]一种多沟槽终端肖特基器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210158561.5 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103390654B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多沟槽终端肖特基器件，本发明的半导体器件具有多个沟槽结构的终端，将浮空场限环加入到器件的沟槽终端结构中，同时简化了器件的制造流程。本发明还提供了一种多沟槽终端肖特基器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 终端 肖特基 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多沟槽终端肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于器件边缘漂移层中，临靠沟槽整个侧壁区域设置有第二传导类型半导体材料，器件边缘沟槽之间的漂移层中设置有第二传导类型半导体材料，第二传导类型半导体材料的结深大于沟槽的深度；绝缘材料，位于沟槽内壁，漂移层表面不设置绝缘材料；肖特基势垒结，位于漂移层表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210158561.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空调内机连接管
- 下一篇：带表面式换热装置的新风单元及其被动式冷却空调装置
- 同类专利
- 专利分类
