[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210153007.8 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709327A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 成军;刘晓娣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示领域。所述氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。本发明避免了在制作氧化物薄膜晶体管的过程中刻蚀阻挡层对氧化物薄膜晶体管的活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。
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