[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210152644.3 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103390651B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基半导体装置，其中具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的正向导通或反向阻断特性；本发明还提供了一种沟槽肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个沟槽结构，沟槽位于漂移层中，沟槽内填充有绝缘材料，漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料，在沟槽内上部填充上表面金属层金属，沟槽内上表面金属层金属与第二导电半导体材料通过沟槽内绝缘材料隔离；绝缘层，为绝缘材料构成，位于第二导电半导体材料表面；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料上表面；上表面金属层，与肖特基势垒结相连，不与第二导电半导体材料直接相连。
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