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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使微调影响和活塞波型不稳定性最小化的声波导器件和方法-CN201210057488.2有效
发明人：本·阿博特;艾伦·陈;特霍·科克;库尔特·斯坦纳;罗伯特·艾格纳;朱利恩·格拉捷 -专利权人：特里奎恩特半导体公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种可操作为活塞波型波导的声波器件，其包括在压电基板的表面上形成叉指式换能器的电极，其中多个电极中的每一个均限定为具有横向延伸中央区域和横向相反边缘区域，用于引导声波沿纵向穿过换能器。氧化硅覆盖层覆盖换能器，并且氮化硅层仅在中央和边缘区域覆盖氧化硅覆盖层。氮化硅层的厚度足以为中央区域内的声波提供频率修改并且针对钛条在相反边缘区域中的每一个中的定位进行优化。钛条降低边缘区域内的声波速度，所述边缘区域内的速度低于换能器中央区域内的波速。
微调影响活塞不稳定性最小化声波器件方法

[发明专利]存储器块管理-CN201080010244.8有效
发明人：迈赫迪·阿斯纳阿沙里;艾伦·陈;西亚麦克·内马齐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：各种实施例包含一个或一个以上存储器装置，所述一个或一个以上存储器装置具有组织成超级块的至少两个物理块平面，其中每一超级块包含来自所述至少两个平面中的每一者的物理块。实施例包含确定所述平面内的有缺陷块。在特定块位置处的所述块中无一块被确定为有缺陷的情况下，实施例包含将所述特定块位置处的所述块指派给超级块，且在特定块位置处的所述块中的一者或一者以上被确定为有缺陷的情况下，实施例包含：将所述特定块位置处被确定为有缺陷的所述块指派给超级块；及针对所述特定块位置处被确定为有缺陷的所述一个或一个以上块中的每一者给所述超级块指派相应替换块。所述相应替换块选自所述平面中包含被确定为有缺陷的所述相应块的相应一者内的某一数目的块。
存储器管理

[发明专利]存储器块选择-CN201080010413.8有效
发明人：迈赫迪·阿斯纳阿沙里;艾伦·陈;西亚麦克·内马齐;达勒·P·麦克纳马拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明包含用于存储器块选择的方法及装置。在一个或一个以上实施例中，一种存储器控制器包含控制电路，所述控制电路耦合到一个或一个以上存储器装置，所述一个或一个以上存储器装置具有与其相关联的多个平面群组，每一群组包含组织成若干超级块的至少两个物理块平面，其中每一超级块包含来自所述至少两个平面中的每一者的物理块。所述控制电路经配置以接收与写入操作相关联的第一未指派逻辑块地址(LBA)且确定所述多个群组中用以接收与所述写入操作相关联的数据的选定一者内的特定自由超级块。
存储器选择

[发明专利]光电子模块和照明装置-CN200880121488.6无效
发明人：格哈德·库恩;梁镇求;文森特·吴;弗兰克·盛;艾伦·陈;郭肯 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：一种光电子模块，具体包括连接载体(2)、布置于连接载体(2)上的光电子部件(3)、连接载体(2)布置于其上的冷却元件(9)、在所述连接载体(2)之上延伸的覆盖物(6)和用于控制光电子部件(3)的电(特别是电子)控制元件(8)。一种照明装置，具体包括模块(1)和基体(13)，模块(1)固定到基体(13)。
光电子模块照明装置

[发明专利]用于快闪存储器中的动态位替换的列冗余RAM-CN200810161379.9无效
发明人： 艾伦·陈;内维尔·伊奇哈波里亚;维贾伊·P·阿杜苏米利;斯蒂芬·郑 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：本发明是关于用于快闪存储器中的动态位替换的列冗余RAM，用于非易失性存储器的列冗余系统包含独立伙伴控制器芯片，所述独立伙伴控制器芯片包含用于存储有缺陷非易失性存储器单元的地址的列冗余RAM存储器阵列。列冗余匹配逻辑提供对应于所述非易失性存储器的特定用户输入地址与有缺陷非易失性存储器单元的所述地址的匹配的匹配输出信号，所述地址的集合存储在所述列冗余RAM存储器阵列中。列冗余替换逻辑响应于匹配输出，将与有缺陷非易失性存储器单元相关联的正确数据动态代入非易失性存储器芯片的I/O编程或读取数据位流中。
用于闪存中的动态替换冗余 ram

[发明专利]具有用于增强的擦除/编程/检验操作的高级主位线分割电路的存储器结构-CN200680030062.0无效
发明人：斯坦利·洪;雅米·王;艾伦·陈 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G11C8/00 文献下载
摘要：本发明提供一种针对大容量存储器装置(100)中的长主位线(180a－180c)的解决方案。通过放置在主位线上的至少一个开关晶体管(181a－181i)来分割所述主位线。
具有用于增强擦除编程检验操作高级主位线分割电路存储器结构

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